Pilotlinie für fortschrittliche Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI) Technologien mit 7nm-Ziel

Das Programm 'Pilotlinie für fortschrittliche Fully Depleted Silicon On Insulator Technologien mit 7nm-Ziel' wurde entwickelt, um Konsortien europäischer Partner bei der Weiterentwicklung von Halbleiterfähigkeiten zu unterstützen. Es zielt speziell auf Unternehmen ab, die an der Entwicklung von Spitzentechnologien beteiligt sind, und soll die europäische Halbleiterindustrie stärken.

Dieses Programm fördert Projekte, die sich auf die Entwicklung und Realisierung fortschrittlicher Halbleitertechnologien konzentrieren, insbesondere im Bereich Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI). Die unterstützten Aktivitäten reichen von der Entwicklung grundlegender Technologiemodule bis zur Realisierung von Schaltkreisen und dem Kapazitätsaufbau.

Die finanzielle Unterstützung für dieses Programm erfolgt in Form von Zuschüssen mit einem festgelegten maximalen Förderbetrag pro Projekt. Weitere Details zu Beitragssätzen und anderen finanziellen Parametern richten sich nach den übergeordneten Programmdokumenten.

Antragsteller und Begünstigte müssen die in den maßgeblichen Programmdokumenten dargelegten spezifischen Bedingungen und Anforderungen einhalten. Dazu gehören Bestimmungen zur Konsortialbildung, Antragsverfahren und allgemeine Vorschriften zur Projektdurchführung.

Das Antragsverfahren für dieses Förderprogramm umfasste eine einstufige Einreichung mit einer klaren Frist. Die Bewertungs- und Vergabeverfahren wurden gemäß spezifischer Kriterien durchgeführt, die in den umfassenden Programmdokumenten dargelegt sind.

Dieses Förderprogramm operiert unter spezifischen grundlegenden und maßgebenden Rechtsdokumenten, die seinen Geltungsbereich, seine Förderfähigkeit und seinen operativen Rahmen definieren. Zentrale Vorschriften gewährleisten die Einhaltung umfassender europäischer Finanz- und Politikrichtlinien.